Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

IXTP1R4N100P

IXTP1R4N100P

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 291 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 944
10 620
100 432
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 291 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

IXTP1R4N100P

Производитель

Техническое описание

Купить IXTP1R4N100P от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

IXTP1R4N100P описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1кВ; 1,4А; Idm: 3А; 63Вт

Производитель IXYS
Выбрано: Показать
Монтаж THT
Выбрано: Показать
Корпус TO220AB
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 63Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки туба
Выбрано: Показать
Технология Polar™
Выбрано: Показать
Характеристики полупроводниковых элементов standard power mosfet
Выбрано: Показать
Заряд затвора 17,8нC
Выбрано: Показать
Ток стока 1,4А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 1кВ
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 11,8Ом
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Время готовности 750нс
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 3А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 3g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти