IXYN82N120C3H1
Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.
- всего в наличии: 774 шт
| Количество | Цена ₽ /шт |
|---|---|
| 1 | 6 757 |
| 10 | 5 012 |
| 100 | 4 865 |
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 774 шт.
Бесплатная доставка
Вернём 1014 баллов
Условия
- Срок поставки 4-6 недель
- Цена включает НДС
Артикул
IXYN82N120C3H1
Производитель
Техническое описание
Купить IXYN82N120C3H1 от 1 шт с помощью банковской карты 
можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.
IXYN82N120C3H1 описание и характеристики
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 66А; SOT227B
Похожие товары
Вы недавно смотрели
-
по запросу -
-
DIODES INCORPORATEDпо запросу -
-
YANGJIE TECHNOLOGYпо запросу -
