Каталог товаров

О разделе «Модули IGBT»

Биполярный транзистор с изолированным затвором применяется в устройствах для преобразования электроэнергии с минимальными сопутствующими потерями. На сегодняшний день, происходит массовое внедрение силовых устройств функционирующих на основе IGBT модулей, ведь, в первую очередь, данная технология является энергосберегающей, в чем очень заинтересованы и потребители и производители.

Ни одно производство, транспортные системы не обходятся сегодня без применения энергосберегающих технологий, неотъемлемой частью которых является силовой IGBT модуль. Так же с помощью данных изделий обеспечивается усиление или генерация электрических колебаний в различной преобразовательной технике.

Правильно подобранное устройство сможет гарантировать длительную и качественную работу высоковольтных электросетей, бесперебойных и импульсных источников питания, преобразователей солнечной и ветровой энергии, медицинского оборудования и прочих важных устройств. По каталогам нашей компании не составит труда подобрать идеальное для своих целей устройство, ведь каждая модель представлена от известного производителя, который отвечает за прочность и надёжность своего товара, а в подтверждение этого предоставляет длительную гарантию на эксплуатацию.

Внедрение IGBT модулей предоставляет потребителям отличную возможность конвертации электроэнергии на максимальных частотах, что способствует минимизации потерь в агрегатах, а так же обеспечивает компактность самого устройства.

В зависимости от наличия тех или иных характеристик, которыми может обладать IGBT-модуль, зависит и весь рабочий потенциал устройства. В связи с чем, особое внимание при выборе модели модуля стоит уделить таким важным параметрам как:

  • диапазон рабочего напряжения;
  • максимально допустимое значение рабочих температур;
  • тип корпуса;
  • тип механического и электрического монтажа;
  • конструкции диода.

Независимо от того, какой модуль IGBT приобретёт покупатель, он может рассчитывать на высокую безопасность работы с устройством, эффективную коммутацию значительных импульсных токов и низкий показатель теплосопротивления, который присущ для всех модулей данного типа.

Модули IGBT

2 406 позиций
Производитель 23
Механический монтаж 3
Электрический монтаж 10
Тип модуля 4
Рассеиваемая мощность 185
Конструкция диода 8
Обратное напряжение макс. 20
Технология 46
Топология 35
Ток коллектора 212
Ещё фильтрыСкрыть фильтров
Очистить
Пересчитываю фильтры
Фильтры Скрыть фильтры
Свернуть
По умолчанию
BSM100GB120DN2KHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ BSM100GB120DN2KHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ BSM100GB120DN2KHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ BSM100GB120DN2KHOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
  • 4 шт. — в наличии
  • 678 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 22 193 ₽
  • 3 шт. — 20 175 ₽
22 193 ₽
В корзину
Доступно 682 шт.
SKM150GB12T4 22892040, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
  • 2 шт. — в наличии
  • 61 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 22 414 ₽
  • 3 шт. — 19 913 ₽
  • 8 шт. — 18 586 ₽
22 414 ₽
В корзину
Доступно 63 шт.
F4150R12KS4BOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x2; Ic: 150А
  • 2 шт. — в наличии
  • 5 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 28 900 ₽
28 900 ₽
В корзину
Доступно 7 шт.
2SP0115T2A0-12, Module: gate driver board; IGBT half-bridge; SCALE™-2; 1.2kV
  • 2 шт. — в наличии
  • 334 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 16 041 ₽
  • 10 шт. — 15 548 ₽
  • 40 шт. — 14 388 ₽
  • 100 шт. — 12 340 ₽
16 041 ₽
В корзину
Доступно 336 шт.
IKD04N60RC2ATMA1, Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 8А; 36,6Вт; DPAK
  • 9900 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 498 ₽
  • 10 шт. — 283 ₽
  • 100 шт. — 117 ₽
  • 1000 шт. — 75 ₽
1 498 ₽
В корзину
Доступно 9 900 шт.
2SC0635T2A1-45, Module: gate driver board; SCALE™-2; 4.5kV; 14.5÷15.5VDC; 100kHz
  • 481 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 45 177 ₽
45 177 ₽
В корзину
Доступно 481 шт.
IXGN400N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 200А; SOT227B
  • 448 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 13 777 ₽
  • 10 шт. — 11 684 ₽
13 777 ₽
В корзину
Доступно 448 шт.
APT75GP120JDQ3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 57А; SOT227B
  • 421 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 8 401 ₽
  • 100 шт. — 6 818 ₽
8 401 ₽
В корзину
Доступно 421 шт.
IXGN100N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 95А; SOT227B
  • 318 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 15 170 ₽
  • 10 шт. — 11 791 ₽
  • 100 шт. — 11 321 ₽
15 170 ₽
В корзину
Доступно 318 шт.
IXYN150N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 140А; SOT227B
  • 300 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 5 597 ₽
  • 10 шт. — 4 103 ₽
  • 100 шт. — 3 315 ₽
5 597 ₽
В корзину
Доступно 300 шт.
IXXN110N65C4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B
  • 296 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 6 386 ₽
  • 10 шт. — 4 718 ₽
  • 100 шт. — 3 911 ₽
6 386 ₽
В корзину
Доступно 296 шт.
IXGN200N170, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 160А; SOT227B
  • 278 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 14 664 ₽
  • 10 шт. — 11 377 ₽
  • 100 шт. — 10 867 ₽
14 664 ₽
В корзину
Доступно 278 шт.
IXXN100N60B3H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B
  • 267 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 6 555 ₽
  • 10 шт. — 4 850 ₽
  • 100 шт. — 4 041 ₽
6 555 ₽
В корзину
Доступно 267 шт.
IXYN120N120C3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 120А; SOT227B
  • 222 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 7 754 ₽
  • 10 шт. — 5 796 ₽
  • 100 шт. — 4 981 ₽
7 754 ₽
В корзину
Доступно 222 шт.
IXYN50N170CV1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 50А; SOT227B
  • 212 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 12 421 ₽
  • 10 шт. — 9 545 ₽
  • 100 шт. — 8 886 ₽
12 421 ₽
В корзину
Доступно 212 шт.
FZ600R12KE4HOSA1, Модуль: IGBT; AG-62MM-2; 3кВт
  • 161 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 24 632 ₽
  • 10 шт. — 20 203 ₽
24 632 ₽
В корзину
Доступно 161 шт.
IXGN320N60A3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 170А; SOT227B
  • 149 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 9 475 ₽
  • 10 шт. — 7 860 ₽
9 475 ₽
В корзину
Доступно 149 шт.
IXXN200N60B3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 160А; SOT227B
  • 143 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 6 171 ₽
  • 10 шт. — 4 550 ₽
  • 100 шт. — 3 747 ₽
6 171 ₽
В корзину
Доступно 143 шт.
IXXN110N65B4H1, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B
  • 109 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 6 331 ₽
  • 10 шт. — 4 767 ₽
6 331 ₽
В корзину
Доступно 109 шт.

Обычно ищут вместе

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти