Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

IXXN110N65B4H1

IXXN110N65B4H1

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 109 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 6 308
10 4 750
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 109 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

IXXN110N65B4H1

Производитель

Техническое описание

Купить IXXN110N65B4H1 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

IXXN110N65B4H1 описание и характеристики

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B

Производитель IXYS
Выбрано: Показать
Механический монтаж винтами
Выбрано: Показать
Электрический монтаж винтами
Выбрано: Показать
Корпус SOT227B
Выбрано: Показать
Тип модуля IGBT
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 750Вт
Выбрано: Показать
Конструкция диода одиночный транзистор
Выбрано: Показать
Обратное напряжение макс. 650В
Выбрано: Показать
Технология XPT™
Выбрано: Показать
Технология GenX4™
Выбрано: Показать
Ток коллектора 110А
Выбрано: Показать
Ток коллектора в импульсе 650А
Выбрано: Показать
Напряжение затвор - эмиттер ±20В
Выбрано: Показать
Тип полупроводникового модуля IGBT
Выбрано: Показать
Вес 30g

Похожие товары

Обычно ищут вместе

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти