Каталог товаров

IXGN200N170

IXGN200N170

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 278 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 14 664
10 11 377
100 10 867
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 278 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

IXGN200N170

Производитель

Техническое описание

Купить IXGN200N170 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

IXGN200N170 описание и характеристики

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 160А; SOT227B

Производитель IXYS
Выбрано: Показать
Механический монтаж винтами
Выбрано: Показать
Электрический монтаж винтами
Выбрано: Показать
Корпус SOT227B
Выбрано: Показать
Тип модуля IGBT
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 1,25кВт
Выбрано: Показать
Конструкция диода одиночный транзистор
Выбрано: Показать
Обратное напряжение макс. 1,7кВ
Выбрано: Показать
Технология NPT
Выбрано: Показать
Ток коллектора 160А
Выбрано: Показать
Ток коллектора в импульсе 1,05кА
Выбрано: Показать
Напряжение затвор - эмиттер ±20В
Выбрано: Показать
Тип полупроводникового модуля IGBT
Выбрано: Показать
Вес 30g

Похожие товары

Вы недавно смотрели

Обычно ищут вместе

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти