Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

IXBN75N170

IXBN75N170

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 1 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 21 420
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 1 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

IXBN75N170

Производитель

Техническое описание

Купить IXBN75N170 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

IXBN75N170 описание и характеристики

Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SOT227B

Производитель IXYS
Выбрано: Показать
Механический монтаж винтами
Выбрано: Показать
Электрический монтаж винтами
Выбрано: Показать
Корпус SOT227B
Выбрано: Показать
Тип модуля IGBT
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 625Вт
Выбрано: Показать
Конструкция диода одиночный транзистор
Выбрано: Показать
Обратное напряжение макс. 1,7кВ
Выбрано: Показать
Технология BiMOSFET™
Выбрано: Показать
Характеристики полупроводниковых элементов высоковольтный
Выбрано: Показать
Ток коллектора 75А
Выбрано: Показать
Ток коллектора в импульсе 680А
Выбрано: Показать
Напряжение затвор - эмиттер ±20В
Выбрано: Показать
Тип полупроводникового модуля IGBT
Выбрано: Показать
Вес 37.09g

Похожие товары

Обычно ищут вместе

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти