G05NP06S2

G05NP06S2

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.

нет в наличии

Количество	Цена
1	1 512 ₽
10	254 ₽
100	93 ₽
500	64 ₽
4000	46 ₽

по запросу

Запросить

Условия

Минимально 1 и кратно 1

Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
Артикул
G05NP06S2-GFS
Производитель
GOFORD SEMICONDUCTOR

Вы можете запросить у нас любое количество G05NP06S2, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

G05NP06S2-GFS описание и характеристики

Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 60/-60V; 5/-3.1A; SOP8

Похожие товары

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А

+8820 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,073А; 0,08Вт; SC70-6

+17820 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,14А; 0,12Вт; SOT363

+14445 баллов

Подробнее

Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 60В; 0,24А; Idm: 1,2А

+13905 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В

+7650 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В

+4650 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

+43200 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

+1830 баллов

Подробнее

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В

+1950 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; 1,3Вт; SO8

+14850 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -7А; 1,3Вт; SO8

+26550 баллов

Подробнее

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8

+3975 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

|

TM

|

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог