G06P01E

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 61 шт
Количество Цена
1 67 ₽
100 25.3 ₽
1000 16.6 ₽
6000 12.6 ₽
15000 11 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+1 балл
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    G06P01E-GFS
  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
G06P01E от 11 рублей в наличии 61 шт производства GOFORD SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

G06P01E-GFS описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -12V; -4A; 1.8W; SOT23; ESD

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT23
  • Версия
    ESD
  • Рассеиваемая мощность
    1,8Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    Trench
  • Заряд затвора
    14нC
  • Ток стока
    -4А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -12В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Gate-source voltage
    ±10В
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне
Вы смотрели:

Похожие товары

Регистрация