G1NP02LLE

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2500 шт
Количество Цена
1 74 ₽
100 28 ₽
1000 18.7 ₽
6000 14.2 ₽
15000 12.6 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+1 балл
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    G1NP02LLE-GFS
  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
G1NP02LLE от 12.6 рублей в наличии 2500 шт производства GOFORD SEMICONDUCTOR, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

G1NP02LLE-GFS описание и характеристики

Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 1.3/-1.1A; ESD

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT23-6
  • Версия
    ESD
  • Рассеиваемая мощность
    1,25/1,25Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    Trench
  • Заряд затвора
    1/1,22нC
  • Ток стока
    1,3/-1,1А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20/-20В
  • Тип транзистора
    N/P-MOSFET
  • Gate-source voltage
    ±10В
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация