G1K8P06S2

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 4000 шт
Количество Цена
4000 19 ₽
16000 17.5 ₽
32000 16 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+2 балла
  • Условия
    Минимально 4000 и кратно 4000
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    G1K8P06S2-GFS
  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
G1K8P06S2 от 16 рублей в наличии 4000 шт производства GOFORD SEMICONDUCTOR, купить от 4000 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

G1K8P06S2-GFS описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -60V; -3.2A; 2W; SOP8

  • Производитель
    GOFORD SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOP8
  • Рассеиваемая мощность
    2Вт
  • Полярность
    полевой
  • Технология
    Trench
  • Заряд затвора
    11,3нC
  • Ток стока
    -3,2А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -60В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET x2
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация