Каталог товаров

SIS108DN-T1-GE3

  • всего в наличии: 23632 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 309
10 147
500 103
3000 83
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 23 632 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIS108DN-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SIS108DN-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIS108DN-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 14.7A; Idm: 30A

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® 1212-8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 15W
Выбрано: Показать
Полярность unipolar
Выбрано: Показать
Вид упаковки reel
Выбрано: Показать
Вид упаковки tape
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 13nC
Выбрано: Показать
Ток стока 14.7A
Выбрано: Показать
Вид канала enhanced
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 80V
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 44mΩ
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20V
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 30A
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти