Каталог товаров

SI4564DY-T1-GE3

SI4564DY-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 3528 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 381
10 192
100 170
2500 109
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 3 528 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI4564DY-T1-GE3

Производитель

Купить SI4564DY-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI4564DY-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 8/-7,4А; Idm: 40А

Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Тип транзистора N/P-MOSFET
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±16/±20В
Выбрано: Показать
Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Ток стока 8/-7,4А
Выбрано: Показать
Корпус SO8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 2/2,1Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 17,5/21мОм
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 40А
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Заряд затвора 31/63нC
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±16В
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 40/-40В
Выбрано: Показать
Вес 0.025g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти