Каталог товаров

SI3590DV-T1-GE3

SI3590DV-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 28 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 495
10 280
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 28 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI3590DV-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SI3590DV-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI3590DV-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 2/-1,3А; Idm: 8А

Ток стока 2/-1,3А
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 8А
Выбрано: Показать
Тип транзистора N/P-MOSFET
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±12В
Выбрано: Показать
Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Корпус TSOP6
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 77/170мОм
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±12V
Выбрано: Показать
Корпус SC74
Выбрано: Показать
Заряд затвора 6/4,5нC
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 30/-30В
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 1,05Вт
Выбрано: Показать
Вес 0.1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти