SI1029X-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+6 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество SI1029X-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI1029X-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 0,22/-0,135А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SC89
  • Корпус
    SOT563
  • Рассеиваемая мощность
    0,13Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    0,75/1,7нC
  • Ток стока
    0,22/-0,135А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    60/-60В
  • Тип транзистора
    N/P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    3/8Ом
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Вид транзистора
    комплементарная пара
  • Ток стока в импульсном режиме
    0,65А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация