HGTG10N120BND

всего в наличии 10561 шт
Количество Цена
1 959 ₽
30 536 ₽
120 443 ₽
510 375 ₽
1020 351 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+52 балла
HGTG10N120BND от 351 рублей в наличии 10561 шт производства ONSEMI, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

HGTG10N120BND описание и характеристики

Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 17А; 298Вт; TO247-3

  • Производитель
    ON SEMICONDUCTOR
  • Монтаж
    THT
  • Корпус
    TO247-3
  • Рассеиваемая мощность
    298Вт
  • Вид упаковки
    туба
  • Заряд затвора
    150нC
  • Тип транзистора
    IGBT
  • Напряжение коллектор-эмиттер
    1,2кВ
  • Ток коллектора
    17А
  • Ток коллектора в импульсе
    80А
  • Напряжение затвор - эмиттер
    ±20В
  • Вес
    5.03g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация