Транзисторы IGBT THT представляют собой отдельную группу биполярных транзисторов, имеющие изолированные затворы. В этих устройства есть неосновной носитель заряда и высокий входной импенданс, что сближает их с полевыми транзисторами.
Находясь с открытом состоянии, транзисторы характеризуются большим уровнем допустимого тока, что сближает их с биполярными транзисторами. Приборы IGBT — это устройства, которые сочетают в себе функциональную интеграцию используемых силовых MOSFET вместе с биполярными транзисторами.
Сопротивление канала данных элементов возрастает пропорционально электрическому току. Данные элементы можно назвать быстродействующими, однако по сравнению с MOSFET их скорость протекания реакций ниже. Транзисторы данного вида могут накапливать заряд. Поэтому есть остаточный ток, а также наблюдается нагрев прибора при закрытом затворе.
Транзисторы IGBT THT положительно сказываются на производительности электроприбора. Они могут быть использованы в различных агрегатах электроники силового типа.
Также они находят применение в разных приборах, а именно:
- источники, которые обеспечивают бесперебойное питание;
- импульсные источники питания;
- силовые схемы, где необходима высокая частота переключения.
