Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

GT50JR22(STA1,E,S)

GT50JR22(STA1,E,S)

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 81 шт
  • наличие в СПб: 175 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 051
10 738
25 660
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 256 шт.

Условия

  • Срок поставки 1 рабочий день
  • Цена включает НДС

Артикул

GT50JR22

Производитель

Техническое описание

Купить GT50JR22(STA1,E,S) от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

GT50JR22 описание и характеристики

Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN

Производитель TOSHIBA
Выбрано: Показать
Монтаж THT
Выбрано: Показать
Корпус TO3PN
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 115Вт
Выбрано: Показать
Вид упаковки туба
Выбрано: Показать
Характеристики полупроводниковых элементов integrated anti-parallel diode
Выбрано: Показать
Тип транзистора IGBT
Выбрано: Показать
Напряжение коллектор-эмиттер 600В
Выбрано: Показать
Ток коллектора 44А
Выбрано: Показать
Ток коллектора в импульсе 100А
Выбрано: Показать
Время включения 250нс
Выбрано: Показать
Время выключения 330нс
Выбрано: Показать
Напряжение затвор - эмиттер ±25В
Выбрано: Показать
Вес 4.91g

Вы недавно смотрели

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти