Ещё из раздела
- SQJ914EP-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 19А; Idm: 90А
- SQJ942EP-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 60÷180А
- SQJ946EP-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 15А; Idm: 40А
- SQJ951EP-T1-BE3 Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -30В; -28А; 56Вт
- SQJ952EP-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 23А; Idm: 93А
- SQJ956EP-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 23А; Idm: 92А
- SQJ958EP-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 20А; Idm: 80А
- SQJ963EP-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -8А; Idm: -32А
- SQJ968EP-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 23,5А; Idm: 72А
- SQJ980AEP-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 75В; 17А; Idm: 68А
- SQJ990EP-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 100В; 17/34А
- SQJ992EP-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 15А; Idm: 60А
- SQJB00EP-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 60В; 25А; Idm: 84А
- SQJB02ELP-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 30А; 27Вт
- SQJB04ELP-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 22А; Idm: 120А
- SQJB44EP-T1-JE3 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 30А; Idm: 120А
- SQJB46ELP-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 30А; Idm: 120А
- SQJB48EP-T1-JE3 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 30А; 48Вт
- SQJB80EP-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 80В; 30А; Idm: 84А
- SQJB90EP-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 80В; 30А; Idm: 80А
- SQJQ904E-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 100А; PowerPAK® 8x8L
- SQJQ906E-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 95А; PowerPAK® 8x8L
- SQJQ906EL-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 160А; PowerPAK® 8x8L
- SQJQ936EL-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 100А; PowerPAK® 8x8L
Транзисторы многоканальные
1 670 позицийПо умолчанию
TAIWAN SEMICONDUCTOR
- 4915 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 370 ₽
- 10 шт. — 183 ₽
- 100 шт. — 155 ₽
- 1000 шт. — 121 ₽
370 ₽
В корзину
Доступно 4 915 шт.
- 153 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 737 ₽
- 10 шт. — 435 ₽
- 100 шт. — 224 ₽
1 737 ₽
В корзину
Доступно 153 шт.
DIODES INCORPORATED
- 151 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 373 ₽
- 10 шт. — 196 ₽
- 100 шт. — 57 ₽
1 373 ₽
В корзину
Доступно 151 шт.
DIODES INCORPORATED
- 100 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 406 ₽
- 10 шт. — 265 ₽
- 100 шт. — 170 ₽
406 ₽
В корзину
Доступно 100 шт.
ROHM SEMICONDUCTOR
- 100 шт. — 4 недели
- 87 шт. — 163 ₽
- 100 шт. — 147 ₽
163 ₽
В корзину
Доступно 100 шт.
от 87 шт. и кратно 87
TAIWAN SEMICONDUCTOR
- 100 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 622 ₽
- 10 шт. — 358 ₽
- 100 шт. — 169 ₽
1 622 ₽
В корзину
Доступно 100 шт.
ROHM SEMICONDUCTOR
- 93 шт. — 4 недели
- 37 шт. — 388 ₽
- 50 шт. — 270 ₽
388 ₽
В корзину
Доступно 93 шт.
от 37 шт. и кратно 37
TEXAS INSTRUMENTS
- 88 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 349 ₽
- 10 шт. — 221 ₽
- 50 шт. — 166 ₽
349 ₽
В корзину
Доступно 88 шт.
DIODES INCORPORATED
- 59 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 268 ₽
- 10 шт. — 169 ₽
- 50 шт. — 125 ₽
268 ₽
В корзину
Доступно 59 шт.
DIODES INCORPORATED
- 53 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 367 ₽
- 10 шт. — 193 ₽
- 25 шт. — 106 ₽
1 367 ₽
В корзину
Доступно 53 шт.
DIODES INCORPORATED
- 50 шт. — 4 недели
- 5 шт. — 243 ₽
- 10 шт. — 169 ₽
243 ₽
В корзину
Доступно 50 шт.
от 5 шт. и кратно 5
DIODES INCORPORATED
- 50 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 457 ₽
- 10 шт. — 250 ₽
- 25 шт. — 155 ₽
1 457 ₽
В корзину
Доступно 50 шт.