SQJB90EP-T1_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 3852 шт
Количество Цена
1 1 684 ₽
10 377 ₽
100 179 ₽
500 135 ₽
3000 107 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+16 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SQJB90EP-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SQJB90EP-T1_GE3 от 107 рублей в наличии 3852 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQJB90EP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 80В; 30А; Idm: 80А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    40Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Ток стока
    30А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    80В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Ток стока в импульсном режиме
    80А
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.13g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация