SQJ914EP-T1_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 9032 шт
Количество Цена
1 1 670 ₽
10 364 ₽
100 170 ₽
500 127 ₽
3000 101 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+15 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SQJ914EP-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SQJ914EP-T1_GE3 от 101 рублей в наличии 9032 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQJ914EP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 19А; Idm: 90А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    27Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    15нC
  • Ток стока
    19А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    12мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    90А
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.14g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация