Бесплатная доставка по России
Каталог товаров
Показать все результаты

Ещё из раздела

Транзисторы и модули IGBT

4 432 позиции
Ещё -1
Производитель 37
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Монтаж 5
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Вид упаковки 4
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Механический монтаж 3
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Электрический монтаж 10
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Тип модуля 4
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Рассеиваемая мощность 416
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Конструкция диода 8
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Обратное напряжение макс. 20
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Технология 57
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Ещё фильтрыСкрыть фильтров
Очистить
Пересчитываю фильтры
Фильтры Скрыть фильтры
Свернуть
По умолчанию
FP15R12W1T7B11BOMA1, Модуль: IGBT; Ic: 15А; AG-EASY1B-2; инвертор; Field Stop,Trench
INFINEON TECHNOLOGIES
FP15R12W1T7B11BOMA1, Модуль: IGBT; Ic: 15А; AG-EASY1B-2; инвертор; Field Stop,Trench
  • 24 шт. — 4 недели
  • 10 шт. — 6 944 ₽
  • 24 шт. — 4 684 ₽
6 944 ₽
В корзину
Доступно 24 шт.
от 10 шт. и кратно 10
FS820R08A6P2BBPSA1, Module: IGBT; Ic: 820A; AG-HYBRIDD-1; screw
INFINEON TECHNOLOGIES
FS820R08A6P2BBPSA1, Module: IGBT; Ic: 820A; AG-HYBRIDD-1; screw
  • 23 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 50 373 ₽
  • 12 шт. — 46 602 ₽
50 373 ₽
В корзину
Доступно 23 шт.
2SC0108T2G0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
POWER INTEGRATIONS
2SC0108T2G0-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
  • 23 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 9 423 ₽
  • 10 шт. — 8 668 ₽
9 423 ₽
В корзину
Доступно 23 шт.
IKWH70N65WR6XKSA1, Транзистор: IGBT
INFINEON TECHNOLOGIES
IKWH70N65WR6XKSA1, Транзистор: IGBT
  • 23 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 042 ₽
  • 10 шт. — 644 ₽
1 042 ₽
В корзину
Доступно 23 шт.
FS50R06W1E3BOMA1, Модуль: IGBT; термистор NTC; Ic: 50А; AG-EASY1B-1; инвертор; 205Вт
INFINEON TECHNOLOGIES
FS50R06W1E3BOMA1, Модуль: IGBT; термистор NTC; Ic: 50А; AG-EASY1B-1; инвертор; 205Вт
  • 22 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 6 329 ₽
6 329 ₽
В корзину
Доступно 22 шт.
FS35R12W1T4B11BOMA1, Модуль: IGBT; термистор NTC; AG-EASY1B-2; инвертор; 225Вт
INFINEON TECHNOLOGIES
FS35R12W1T4B11BOMA1, Модуль: IGBT; термистор NTC; AG-EASY1B-2; инвертор; 225Вт
  • 22 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 6 508 ₽
6 508 ₽
В корзину
Доступно 22 шт.
GD15PJX65F1S, Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJX65F1S, Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
  • 22 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 5 666 ₽
  • 5 шт. — 5 318 ₽
  • 10 шт. — 4 941 ₽
5 666 ₽
В корзину
Доступно 22 шт.
GD10PJY120L2S, Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120L2S, Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
  • 22 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 4 703 ₽
  • 5 шт. — 4 415 ₽
  • 10 шт. — 4 102 ₽
4 703 ₽
В корзину
Доступно 22 шт.
FS660R08A6P2FBBPSA1, Модуль: IGBT; термистор NTC; Ic: 450А; AG-HYBRIDD-1; инвертор
INFINEON TECHNOLOGIES
FS660R08A6P2FBBPSA1, Модуль: IGBT; термистор NTC; Ic: 450А; AG-HYBRIDD-1; инвертор
  • 22 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 52 687 ₽
  • 12 шт. — 49 074 ₽
52 687 ₽
В корзину
Доступно 22 шт.
STGYA75H120DF2, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 75А; 750Вт; MAX247
STMicroelectronics
STGYA75H120DF2, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 75А; 750Вт; MAX247
  • 22 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 692 ₽
1 692 ₽
В корзину
Доступно 22 шт.
FS25R12W1T4B11BOMA1, Module: IGBT; Ic: 45A; on PCBs
INFINEON TECHNOLOGIES
FS25R12W1T4B11BOMA1, Module: IGBT; Ic: 45A; on PCBs
  • 21 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 5 861 ₽
5 861 ₽
В корзину
Доступно 21 шт.
FS35R12W1T7BOMA1, Модуль: IGBT; термистор NTC; Ic: 35А; AG-EASY1B; инвертор
INFINEON TECHNOLOGIES
FS35R12W1T7BOMA1, Модуль: IGBT; термистор NTC; Ic: 35А; AG-EASY1B; инвертор
  • 21 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 5 957 ₽
  • 5 шт. — 5 283 ₽
  • 10 шт. — 4 606 ₽
5 957 ₽
В корзину
Доступно 21 шт.
NXH80T120L3Q0S3G, Module: IGBT; diode/transistor; 3-level inverter TNPC; Ic: 80A
ONSEMI
NXH80T120L3Q0S3G, Module: IGBT; diode/transistor; 3-level inverter TNPC; Ic: 80A
  • 21 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 12 719 ₽
12 719 ₽
В корзину
Доступно 21 шт.
FP50R12KT4GBOSA1, Модуль: IGBT; термистор NTC; Ic: 50А; AG-ECONO3-3; инвертор; 280Вт
INFINEON TECHNOLOGIES
FP50R12KT4GBOSA1, Модуль: IGBT; термистор NTC; Ic: 50А; AG-ECONO3-3; инвертор; 280Вт
  • 21 шт. — 4 недели
  • 3 шт. — 16 101 ₽
  • 10 шт. — 12 562 ₽
16 101 ₽
В корзину
Доступно 21 шт.
от 3 шт. и кратно 3
FF300R12ME7B11BPSA1, Модуль: IGBT; термистор NTC; Ic: 300А; AG-ECONOD-3
INFINEON TECHNOLOGIES
FF300R12ME7B11BPSA1, Модуль: IGBT; термистор NTC; Ic: 300А; AG-ECONOD-3
  • 21 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 22 451 ₽
  • 10 шт. — 18 119 ₽
22 451 ₽
В корзину
Доступно 21 шт.
FF1000R17IE4BOSA1, Модуль: IGBT; термистор NTC; Ic: 1,39кА; 6,25кВт; винтами
INFINEON TECHNOLOGIES
FF1000R17IE4BOSA1, Модуль: IGBT; термистор NTC; Ic: 1,39кА; 6,25кВт; винтами
  • 21 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 102 744 ₽
102 744 ₽
В корзину
Доступно 21 шт.
FZ1200R12HE4HOSA2, Module: IGBT; Ic: 1.825kA
INFINEON TECHNOLOGIES
FZ1200R12HE4HOSA2, Module: IGBT; Ic: 1.825kA
  • 21 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 67 794 ₽
  • 10 шт. — 65 489 ₽
67 794 ₽
В корзину
Доступно 21 шт.
APT85GR120JD60, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 85А; SOT227B
MICROCHIP TECHNOLOGY
APT85GR120JD60, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 85А; SOT227B
  • 20 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 6 545 ₽
6 545 ₽
В корзину
Доступно 20 шт.
APT35GP120JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 26А; SOT227B
MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GP120JDQ2, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 26А; SOT227B
  • 20 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 7 692 ₽
7 692 ₽
В корзину
Доступно 20 шт.
GD100HFY120C1S, Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100HFY120C1S, Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
  • 6 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 8 246 ₽
  • 5 шт. — 7 741 ₽
8 246 ₽
В корзину
Доступно 6 шт.

Обычно ищут вместе

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Вход / Регистрация
Войдите в личный кабинет и получите баллы при заказе
Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных по Политике и на получение рассылок.
Подтвердите вход
Перезвоните мне
Ваше имя *
Ваш телефон *
Заказать звонок
Нажимая на кнопку «Заказать звонок», Вы принимаете условия пользовательского соглашения
Заявка отправлена
Мы ответим на ваше сообщение в ближайшее время
Идет отправка
Новый список
Создать список
Добавить в список
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти