Бесплатная доставка по России
Каталог товаров
Показать все результаты

Ещё из раздела

Транзисторы и модули IGBT

4 432 позиции
Ещё -1
Производитель 37
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Монтаж 5
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Вид упаковки 4
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Механический монтаж 3
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Электрический монтаж 10
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Тип модуля 4
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Рассеиваемая мощность 416
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Конструкция диода 8
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Обратное напряжение макс. 20
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Технология 57
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Ещё фильтрыСкрыть фильтров
Очистить
Пересчитываю фильтры
Фильтры Скрыть фильтры
Свернуть
По умолчанию
2SC0435T2F1-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
POWER INTEGRATIONS
2SC0435T2F1-17, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge
  • 19 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 18 373 ₽
18 373 ₽
В корзину
Доступно 19 шт.
GD10PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А GD10PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А GD10PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А GD10PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А
  • 19 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 6 572 ₽
  • 3 шт. — 5 812 ₽
  • 10 шт. — 5 229 ₽
6 572 ₽
В корзину
Доступно 19 шт.
LGEGW60N65SEU, Transistor: IGBT; 650V; 60A; 151W; TO247
LUGUANG ELECTRONIC
LGEGW60N65SEU, Transistor: IGBT; 650V; 60A; 151W; TO247
  • 19 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 611 ₽
  • 3 шт. — 551 ₽
  • 10 шт. — 489 ₽
611 ₽
В корзину
Доступно 19 шт.
FGY60T120SQDN, Transistor: IGBT
ONSEMI
FGY60T120SQDN, Transistor: IGBT
  • 18 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 2 093 ₽
  • 4 шт. — 1 831 ₽
  • 10 шт. — 1 695 ₽
2 093 ₽
В корзину
Доступно 18 шт.
IKW40N65WR5XKSA1, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 115Вт; TO247-3; одиночный транзистор
INFINEON TECHNOLOGIES
IKW40N65WR5XKSA1, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 115Вт; TO247-3; одиночный транзистор
  • 18 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 667 ₽
  • 2 шт. — 562 ₽
  • 10 шт. — 423 ₽
667 ₽
В корзину
Доступно 18 шт.
STGF10NB60SD, Транзистор: IGBT; 600В; 23А; 25Вт; TO220FP
STMicroelectronics
STGF10NB60SD, Транзистор: IGBT; 600В; 23А; 25Вт; TO220FP
  • 18 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 387 ₽
  • 10 шт. — 325 ₽
387 ₽
В корзину
Доступно 18 шт.
IXYX120N120B3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 120А; 1,5кВт; PLUS247™
IXYS
IXYX120N120B3, Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 120А; 1,5кВт; PLUS247™
  • 18 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 6 108 ₽
  • 3 шт. — 5 501 ₽
  • 10 шт. — 4 859 ₽
6 108 ₽
В корзину
Доступно 18 шт.
IXBT16N170AHV, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268HV
IXYS
IXBT16N170AHV, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268HV
  • 18 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 2 671 ₽
  • 3 шт. — 2 378 ₽
  • 10 шт. — 2 134 ₽
2 671 ₽
В корзину
Доступно 18 шт.
IXBH10N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO247-3
IXYS
IXBH10N170, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO247-3
  • 17 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 829 ₽
  • 10 шт. — 1 614 ₽
1 829 ₽
В корзину
Доступно 17 шт.
SKM75GB17E4 22895030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ
SEMIKRON DANFOSS
SKM75GB17E4 22895030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ
  • 17 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 20 845 ₽
  • 3 шт. — 18 721 ₽
  • 8 шт. — 17 484 ₽
20 845 ₽
В корзину
Доступно 17 шт.
IHW25N120E1XKSA1, Транзистор: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1,2кВ; 25А; 92,4Вт; TO247-3
INFINEON TECHNOLOGIES
IHW25N120E1XKSA1, Транзистор: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1,2кВ; 25А; 92,4Вт; TO247-3
  • 17 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 762 ₽
  • 10 шт. — 503 ₽
762 ₽
В корзину
Доступно 17 шт.
APT13GP120BDQ1G, Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 20А; 250Вт; TO247-3
MICROCHIP TECHNOLOGY
APT13GP120BDQ1G, Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 20А; 250Вт; TO247-3
  • 17 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 233 ₽
1 233 ₽
В корзину
Доступно 17 шт.
SKM300GA12T4 22892120, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GA12T4 22892120, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59
  • 17 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 29 934 ₽
  • 3 шт. — 26 248 ₽
  • 8 шт. — 23 644 ₽
29 934 ₽
В корзину
Доступно 17 шт.
FF600R12ME4BOSA1, Модуль: IGBT; термистор NTC; Ic: 995А; винтами; 4,1кВт
INFINEON TECHNOLOGIES
FF600R12ME4BOSA1, Модуль: IGBT; термистор NTC; Ic: 995А; винтами; 4,1кВт
  • 17 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 44 646 ₽
44 646 ₽
В корзину
Доступно 17 шт.
FF200R12KT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
INFINEON TECHNOLOGIES
FF200R12KT4HOSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
  • 16 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 22 388 ₽
22 388 ₽
В корзину
Доступно 16 шт.
IKW50N65ES5XKSA1, Транзистор: IGBT; 650В; 60,5А; 137Вт; TO247-3
INFINEON TECHNOLOGIES
IKW50N65ES5XKSA1, Транзистор: IGBT; 650В; 60,5А; 137Вт; TO247-3
  • 16 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 063 ₽
  • 10 шт. — 800 ₽
1 063 ₽
В корзину
Доступно 16 шт.
IRG4BC40W-LPBF, Транзистор: IGBT; 600В; 40А; 160Вт; TO262; одиночный транзистор
INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4BC40W-LPBF, Транзистор: IGBT; 600В; 40А; 160Вт; TO262; одиночный транзистор
  • 16 шт. — 4 недели
  • 16 шт. — 3 322 ₽
3 322 ₽
В корзину
Доступно 16 шт.
от 16 шт. и кратно 16
FF600R12ME4CBOSA1, Модуль: IGBT; термистор NTC; Ic: 600А; AG-ECONOD-3; 4,1кВт
INFINEON TECHNOLOGIES
FF600R12ME4CBOSA1, Модуль: IGBT; термистор NTC; Ic: 600А; AG-ECONOD-3; 4,1кВт
  • 16 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 46 462 ₽
  • 10 шт. — 42 071 ₽
46 462 ₽
В корзину
Доступно 16 шт.
SKM400GB126D 22890635, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GB126D 22890635, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
  • 15 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 73 752 ₽
  • 3 шт. — 66 159 ₽
  • 8 шт. — 61 822 ₽
73 752 ₽
В корзину
Доступно 15 шт.
PSHI 25/06, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 600В; Ic: 17А
POWERSEM
PSHI 25/06, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 600В; Ic: 17А
  • 15 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 5 296 ₽
  • 3 шт. — 4 434 ₽
  • 10 шт. — 3 862 ₽
5 296 ₽
В корзину
Доступно 15 шт.

Обычно ищут вместе

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Вход / Регистрация
Войдите в личный кабинет и получите баллы при заказе
Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных по Политике и на получение рассылок.
Подтвердите вход
Перезвоните мне
Ваше имя *
Ваш телефон *
Заказать звонок
Нажимая на кнопку «Заказать звонок», Вы принимаете условия пользовательского соглашения
Заявка отправлена
Мы ответим на ваше сообщение в ближайшее время
Идет отправка
Новый список
Создать список
Добавить в список
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти