Ещё из раздела
- IXFN230N20T Модуль; одиночный транзистор; 200В; 220А; SOT227B; Ugs: ±30В; 358нC
- IXFN240N15T2 Модуль; одиночный транзистор; 150В; 240А; SOT227B; Ugs: ±30В; 830Вт
- IXFN240N25X3 Модуль; одиночный транзистор; 250В; 240А; SOT227B; Ugs: ±30В; 695Вт
- IXFN26N100P Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 23А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами
- IXFN26N120P Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; Ugs: ±40В; 695Вт
- IXFN300N10P Модуль; одиночный транзистор; 100В; 295А; SOT227B; Ugs: ±30В; 279нC
- IXFN300N20X3 Модуль; одиночный транзистор; 200В; 300А; SOT227B; Ugs: ±30В; 695Вт
- IXFN30N120P Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 30А; SOT227B; Ugs: ±40В; 890Вт
- IXFN320N17T2 Модуль; одиночный транзистор; 170В; 260А; SOT227B; Ugs: ±30В; 640нC
- IXFN32N100P Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 27А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами
- IXFN32N100Q3 Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 28А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами
- IXFN32N120P Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 32А; SOT227B; Ugs: ±40В; 360нC
- IXFN32N80P Модуль; одиночный транзистор; 800В; 29А; SOT227B; Ugs: ±40В; 625Вт
- IXFN360N10T Модуль; одиночный транзистор; 100В; 360А; SOT227B; Ugs: ±30В; 830Вт
- IXFN360N15T2 Модуль; одиночный транзистор; 150В; 310А; SOT227B; Ugs: ±30В; 715нC
- IXFN36N100 Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 36А; SOT227B; Ugs: ±30В; винтами
- IXFN38N100P Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами
- IXFN400N15X3 Модуль; одиночный транзистор; 150В; 400А; SOT227B; Ugs: ±30В; 695Вт
- IXFN40N110P Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 34А; SOT227B; Ugs: ±40В; 890Вт
- IXFN40N110Q3 Модуль; одиночный транзистор; 1,1кВ; 35А; SOT227B; Ugs: ±40В; 960Вт
- IXFN40N90P Модуль; одиночный транзистор; 900В; 33А; SOT227B; Ugs: ±40В; 695Вт
- IXFN44N100P Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 37А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами
- IXFN44N100Q3 Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 38А; SOT227B; Ugs: ±40В; винтами
- IXFN44N80P Модуль; одиночный транзистор; 800В; 39А; SOT227B; Ugs: ±30В; 694Вт
Транзисторы
39 636 позицийПо умолчанию
ROHM SEMICONDUCTOR
- 1185 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 396 ₽
- 10 шт. — 192 ₽
- 100 шт. — 164 ₽
- 1000 шт. — 126 ₽
396 ₽
В корзину
Доступно 1 185 шт.
- 1185 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 706 ₽
- 10 шт. — 409 ₽
- 100 шт. — 205 ₽
- 500 шт. — 156 ₽
1 706 ₽
В корзину
Доступно 1 185 шт.
STMicroelectronics
- 1185 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 677 ₽
- 10 шт. — 390 ₽
- 50 шт. — 225 ₽
- 100 шт. — 191 ₽
- 500 шт. — 145 ₽
1 677 ₽
В корзину
Доступно 1 185 шт.
ROHM SEMICONDUCTOR
- 1184 шт. — 4 недели
- 87 шт. — 163 ₽
- 100 шт. — 148 ₽
- 300 шт. — 137 ₽
- 500 шт. — 136 ₽
- 1000 шт. — 120 ₽
163 ₽
В корзину
Доступно 1 184 шт.
от 87 шт. и кратно 87
STMicroelectronics
- 1183 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 196 ₽
- 10 шт. — 142 ₽
- 100 шт. — 88 ₽
- 1000 шт. — 65 ₽
196 ₽
В корзину
Доступно 1 183 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 1182 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 524 ₽
- 50 шт. — 258 ₽
- 100 шт. — 232 ₽
- 500 шт. — 187 ₽
524 ₽
В корзину
Доступно 1 182 шт.
- 1182 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 25 ₽
- 50 шт. — 12.2 ₽
- 200 шт. — 9.2 ₽
- 1000 шт. — 6.3 ₽
25 ₽
В корзину
Доступно 1 182 шт.
DIODES INCORPORATED
- 1182 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 266 ₽
- 10 шт. — 167 ₽
- 100 шт. — 110 ₽
266 ₽
В корзину
Доступно 1 182 шт.
INFINEON TECHNOLOGIES
- 1181 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 896 ₽
- 10 шт. — 537 ₽
- 50 шт. — 341 ₽
- 100 шт. — 298 ₽
- 800 шт. — 219 ₽
1 896 ₽
В корзину
Доступно 1 181 шт.
- 1180 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 310 ₽
- 10 шт. — 883 ₽
- 50 шт. — 700 ₽
- 100 шт. — 641 ₽
- 500 шт. — 538 ₽
1 310 ₽
В корзину
Доступно 1 180 шт.
LUGUANG ELECTRONIC
- 1180 шт. — 4 недели
- 20 шт. — 9 ₽
- 500 шт. — 5.9 ₽
9 ₽
В корзину
Доступно 1 180 шт.
от 20 шт. и кратно 20
- 1179 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 804 ₽
- 10 шт. — 459 ₽
- 100 шт. — 369 ₽
- 500 шт. — 306 ₽
- 1000 шт. — 300 ₽
804 ₽
В корзину
Доступно 1 179 шт.
ROHM SEMICONDUCTOR
- 1179 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 1 876 ₽
- 10 шт. — 524 ₽
- 100 шт. — 288 ₽
- 500 шт. — 226 ₽
1 876 ₽
В корзину
Доступно 1 179 шт.
DIODES INCORPORATED
- 1178 шт. — 4 недели
- 1 шт. — 332 ₽
- 10 шт. — 211 ₽
- 100 шт. — 141 ₽
332 ₽
В корзину
Доступно 1 178 шт.