Каталог товаров

IXFN36N100

IXFN36N100

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • нет в наличии
По запросу

Условия

  • Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу

Артикул

IXFN36N100

Производитель

Техническое описание

Купить IXFN36N100 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

IXFN36N100 описание и характеристики

Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 36А; SOT227B; Ugs: ±30В; винтами

Производитель IXYS
Выбрано: Показать
Механический монтаж винтами
Выбрано: Показать
Электрический монтаж винтами
Выбрано: Показать
Корпус SOT227B
Выбрано: Показать
Тип модуля полевой МОП-транзистор
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 694Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Конструкция диода одиночный транзистор
Выбрано: Показать
Технология HiPerFET™
Выбрано: Показать
Заряд затвора 380нC
Выбрано: Показать
Ток стока 36А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 1кВ
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0,24Ом
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±30В
Выбрано: Показать
Время готовности 180нс
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 144А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±30V
Выбрано: Показать
Тип полупроводникового модуля MOSFET транзистор
Выбрано: Показать
Вес 37.16g

Похожие товары

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти