Бесплатная доставка по России
Каталог товаров
Показать все результаты

Ещё из раздела

Транзисторы

39 636 позиций
Ещё 2 подкатегории
Производитель 67
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Монтаж 7
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Вид упаковки 9
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Механический монтаж 3
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Электрический монтаж 10
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Тип модуля 7
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Рассеиваемая мощность 499
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Полярность 4
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Конструкция диода 18
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Технология 194
Значений много — впишите название или его часть, список сократится.
Ещё фильтрыСкрыть фильтров
Очистить
Пересчитываю фильтры
Фильтры Скрыть фильтры
Свернуть
По умолчанию
TIP32G, Транзистор: PNP; биполярный; 40В; 3А; 40Вт; TO220AB
ONSEMI
TIP32G, Транзистор: PNP; биполярный; 40В; 3А; 40Вт; TO220AB
  • 2839 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 230 ₽
  • 10 шт. — 108 ₽
  • 500 шт. — 95 ₽
230 ₽
В корзину
Доступно 2 839 шт.
BD168, Транзистор: PNP; биполярный; 60В; 1,5А; 20Вт; TO126
CDIL
BD168, Транзистор: PNP; биполярный; 60В; 1,5А; 20Вт; TO126
  • 1860 шт. — 4 недели
  • 5 шт. — 35.6 ₽
  • 25 шт. — 30.5 ₽
  • 100 шт. — 27 ₽
  • 500 шт. — 24.6 ₽
35.6 ₽
В корзину
Доступно 1 860 шт.
от 5 шт. и кратно 5
2SD1782-R, Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.2W; SOT23
YANGJIE TECHNOLOGY
2SD1782-R, Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.2W; SOT23
  • 1850 шт. — 4 недели
  • 5 шт. — 21.2 ₽
  • 100 шт. — 5.6 ₽
21.2 ₽
В корзину
Доступно 1 850 шт.
от 5 шт. и кратно 5
S9012-H, Транзистор: PNP; биполярный; 25В; 0,5А; 300мВт; SOT23
YANGJIE TECHNOLOGY
S9012-H, Транзистор: PNP; биполярный; 25В; 0,5А; 300мВт; SOT23
  • 1850 шт. — 4 недели
  • 25 шт. — 7.4 ₽
  • 100 шт. — 3.84 ₽
  • 250 шт. — 3.36 ₽
7.4 ₽
В корзину
Доступно 1 850 шт.
от 25 шт. и кратно 25
DMNH6042SK3Q-13, Транзистор: N-MOSFET
DIODES INCORPORATED
DMNH6042SK3Q-13, Транзистор: N-MOSFET
  • 1849 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 536 ₽
  • 10 шт. — 298 ₽
  • 25 шт. — 196 ₽
  • 50 шт. — 153 ₽
1 536 ₽
В корзину
Доступно 1 849 шт.
ZVNL120A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,18А; 0,7Вт; TO92
DIODES INCORPORATED
ZVNL120A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,18А; 0,7Вт; TO92
  • 1847 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 251 ₽
  • 10 шт. — 147 ₽
  • 50 шт. — 120 ₽
  • 500 шт. — 89 ₽
251 ₽
В корзину
Доступно 1 847 шт.
ZTX601BSTZ, Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 160V; 1A; 1W; TO92
DIODES INCORPORATED
ZTX601BSTZ, Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 160V; 1A; 1W; TO92
  • 1847 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 296 ₽
  • 10 шт. — 186 ₽
  • 100 шт. — 124 ₽
296 ₽
В корзину
Доступно 1 847 шт.
IRFZ40PBF, Transistor: N-MOSFET
VISHAY
IRFZ40PBF, Transistor: N-MOSFET
  • 1844 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 673 ₽
  • 50 шт. — 338 ₽
  • 100 шт. — 306 ₽
  • 500 шт. — 249 ₽
673 ₽
В корзину
Доступно 1 844 шт.
TN0110N3-G-P002, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 350mA; Idm: 2A; 1W; TO92
MICROCHIP TECHNOLOGY
TN0110N3-G-P002, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 350mA; Idm: 2A; 1W; TO92
  • 1844 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 245 ₽
  • 25 шт. — 204 ₽
  • 100 шт. — 186 ₽
245 ₽
В корзину
Доступно 1 844 шт.
2SC2983, Транзистор: NPN; биполярный; 160В; 1,5А; 15Вт; DPAK
DIOTEC SEMICONDUCTOR
2SC2983, Транзистор: NPN; биполярный; 160В; 1,5А; 15Вт; DPAK
  • 1838 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 76 ₽
  • 10 шт. — 55 ₽
  • 50 шт. — 43 ₽
  • 250 шт. — 37 ₽
76 ₽
В корзину
Доступно 1 838 шт.
PN2907ATFR, Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed
ONSEMI
PN2907ATFR, Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed
  • 1829 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 56 ₽
  • 10 шт. — 37 ₽
  • 200 шт. — 17.7 ₽
  • 1000 шт. — 13.2 ₽
56 ₽
В корзину
Доступно 1 829 шт.
DMNH10H028SK3Q-13, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 39А; Idm: 58А; 3,7Вт; TO252
DIODES INCORPORATED
DMNH10H028SK3Q-13, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 39А; Idm: 58А; 3,7Вт; TO252
  • 1807 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 904 ₽
  • 10 шт. — 543 ₽
  • 100 шт. — 301 ₽
1 904 ₽
В корзину
Доступно 1 807 шт.
STQ1NK60ZR-AP, Transistor: N-MOSFET; unipolar
STMicroelectronics
STQ1NK60ZR-AP, Transistor: N-MOSFET; unipolar
  • 1805 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 173 ₽
  • 50 шт. — 82 ₽
  • 500 шт. — 58 ₽
173 ₽
В корзину
Доступно 1 805 шт.
BSP295H6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
INFINEON TECHNOLOGIES
BSP295H6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,8А; 1,8Вт; SOT223
  • 1743 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 245 ₽
  • 10 шт. — 151 ₽
  • 100 шт. — 97 ₽
  • 500 шт. — 79 ₽
245 ₽
В корзину
Доступно 1 743 шт.
HN1B04FU-GR,LF, Транзистор: NPN / PNP; биполярный; дополнительная пара; 50В
TOSHIBA
HN1B04FU-GR,LF, Транзистор: NPN / PNP; биполярный; дополнительная пара; 50В
  • 1674 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 1 316 ₽
  • 10 шт. — 159 ₽
  • 500 шт. — 17.6 ₽
1 316 ₽
В корзину
Доступно 1 674 шт.
SI9407BDY-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A
VISHAY
SI9407BDY-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A
  • 1588 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 319 ₽
  • 10 шт. — 211 ₽
  • 20 шт. — 185 ₽
  • 100 шт. — 137 ₽
  • 1000 шт. — 92 ₽
319 ₽
В корзину
Доступно 1 588 шт.
R8005ANJFRGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5А; Idm: 10А; 120Вт; D2PAK
ROHM SEMICONDUCTOR
R8005ANJFRGTL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5А; Idm: 10А; 120Вт; D2PAK
  • 887 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 763 ₽
  • 10 шт. — 523 ₽
  • 100 шт. — 360 ₽
  • 500 шт. — 307 ₽
763 ₽
В корзину
Доступно 887 шт.
IXXH80N65B4H1, Транзистор: IGBT; GenX4™; 650В; 80А; 625Вт; TO247-3
IXYS
IXXH80N65B4H1, Транзистор: IGBT; GenX4™; 650В; 80А; 625Вт; TO247-3
  • 5 шт. — 4 недели
  • 1 шт. — 2 790 ₽
  • 5 шт. — 2 430 ₽
2 790 ₽
В корзину
Доступно 5 шт.
R6002END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,7А; Idm: 4А; 26Вт; TO252
ROHM SEMICONDUCTOR
R6002END3TL1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,7А; Idm: 4А; 26Вт; TO252
По запросу
Запросить
SI1012CR-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,63А; Idm: 2А; 0,15Вт; SC75A
VISHAY
SI1012CR-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,63А; Idm: 2А; 0,15Вт; SC75A
По запросу
Запросить

Обычно ищут вместе

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Вход / Регистрация
Войдите в личный кабинет и получите баллы при заказе
Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных по Политике и на получение рассылок.
Подтвердите вход
Перезвоните мне
Ваше имя *
Ваш телефон *
Заказать звонок
Нажимая на кнопку «Заказать звонок», Вы принимаете условия пользовательского соглашения
Заявка отправлена
Мы ответим на ваше сообщение в ближайшее время
Идет отправка
Новый список
Создать список
Добавить в список
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти