Каталог товаров

SI9407BDY-T1-GE3

SI9407BDY-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 1588 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 315
10 208
20 183
100 135
1000 90
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 1 588 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI9407BDY-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SI9407BDY-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI9407BDY-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус SO8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 3,2Вт
Выбрано: Показать
Полярность unipolar
Выбрано: Показать
Вид упаковки reel
Выбрано: Показать
Вид упаковки tape
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 22nC
Выбрано: Показать
Ток стока -2,6А
Выбрано: Показать
Вид канала enhanced
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -60V
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0,12Ом
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -20A
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 0.1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти