Ещё из раздела
- AS4C32M16SB-7BINTR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; бобина
- AS4C32M8D1-5TCNTR IC: память DRAM; 32Mx8бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; TSOP66 II; 0÷70°C
- AS4C32M8D1-5TINTR IC: память DRAM; 32Mx8бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; TSOP66 II; -40÷85°C
- AS4C32M8SA-6TINTR IC: память DRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- AS4C32M8SA-7TCNTR IC: память DRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- AS4C4M16D1A-5TAN IC: память DRAM; 4Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷105°C
- AS4C4M16D1A-5TCNTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; 0÷70°C; бобина
- AS4C4M16D1A-5TINTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II; -40÷85°C
- AS4C4M16SA-6BAN IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷105°C
- AS4C4M16SA-6BANTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷105°C
- AS4C4M16SA-6BINTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C4M16SA-6TAN IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток
- AS4C4M16SA-6TANTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; TSOP54 II; бобина
- AS4C4M16SA-7B2CNTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4с; FBGA60; 0÷70°C
- AS4C4M16SA-7BCNTR IC: память DRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4с; FBGA54; 0÷70°C
- AS4C4M32D1A-5BCNTR IC: память DRAM; 4Mx32бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; BGA144; 0÷70°C
- AS4C4M32D1A-5BINTR IC: память DRAM; 4Mx32бит; 2,5В; 200МГц; 15нс; BGA144; -40÷85°C
- AS4C4M32S-6BINTR IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C4M32S-7BCNTR IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA90; 0÷70°C
- AS4C512M16D4-75BCN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; 0÷95°C
- AS4C512M16D4-75BIN IC: память DRAM; 512Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; FBGA96; лоток
- AS4C64M16D1-6TCNTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; 18нс; TSOP66; 0÷70°C
- AS4C64M16D1-6TINTR IC: память DRAM; 64Mx16бит; 2,5В; 166МГц; 18нс; TSOP66; -40÷85°C
- AS4C64M16D2A-25BAN IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA84; -40÷105°C
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позиция