Ещё из раздела
- AS4C64M16D3LB-12BC IC: память DRAM; 64Mx16бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; FBGA96; 0÷70°C
- AS4C4M32MSA-6BINTR IC: память DRAM; 4Mx32бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C4M32MSA-6BIN IC: память DRAM; 4Mx32бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C32M32MD2A25BIN IC: память DRAM; 32Mx32бит; 1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- AS4C32M16SC-7TINTR IC: память DRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 133МГц; 5,4нс; TSOP54 II; бобина
- AS4C32M16SC-7TIN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 133МГц; 5,4нс; TSOP54 II; лоток
- AS4C32M16MSA-6BINT IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C32M16MSA-6BIN IC: память DRAM; 32Mx16бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C16M32SC-7TINTR IC: память DRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс; TSOP86 II
- AS4C16M32SC-7TIN IC: память DRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс; TSOP86 II; лоток
- AS4C16M32MSA-6BINT IC: память DRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 166МГц; 5,5нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C16M32MSA-6BIN IC: память DRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 166МГц; 5,5нс; FBGA90; -40÷85°C
- AS4C16M16MSA-6BINT IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA54; -40÷85°C
- AS4C16M16MSA-6BIN IC: память DRAM; 16Mx16 бит; 1,7В; 166МГц; 5,5нс; FBGA54; -40÷85°C
- 62WV51216BLL-55TLI Память; SRAM; 512Кx16бит; 2,5?3,6В; 55нс; TSOP44 II; -40?85°C
- 61WV25616BLL10TLI Память; SRAM; 256Кx16бит; 2,4?3,6В; 10нс; TSOP44 II; -40?85°C
- 4C64M32MD2A-25BINT IC: память DRAM; 64Mx32бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; бобина
- 4C32M32MD2A-25BINT IC: память DRAM; 32Mx32бит; 1,2÷1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; бобина
- 4C128M32MD2A25BINT IC: память DRAM; 128Мx32бит; 1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 4C128M32MD2A18BINT IC: память DRAM; 128Мx32бит; 1,8В; 533МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 4C128M32MD2A-25BIN IC: память DRAM; 128Мx32бит; 1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 4C128M32MD2A-18BIN IC: память DRAM; 128Мx32бит; 1,8В; 533МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 4C128M16MD2A25BINT IC: память DRAM; 128Мx16бит; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
- 4C128M16MD2A-25BIN IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1,8В; 400МГц; 18нс; FBGA134; -40÷85°C
Памяти DRAM - микросхемы
1 301 позиция