Ещё из раздела
- 43DR81280C-25DBLI IC: память DRAM; 16Mx8битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA60; -40÷85°C
- 43LQ32256A-062BLI IC: DRAM memory; 256Mx16bitx2; 1.6GHz; TFBGA200; -40÷95°C
- 45S16160J-7TLA1-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- 42VM32160E-6BLI IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷85°C
- 45S16320F-7TLA1-TR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- 42SM16320E-6BLI-TR IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 42S83200J-6TLI-TR IC: память DRAM; 8Mx8битx4; 166МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- 43R16800E-5TLI IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 200МГц; 5нс; TSOP66 II; -40÷85°C
- 42S32160F-7TL IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP86 II; 0÷70°C
- 43TR16256B-125KBL IC: память DRAM; 256Мx16бит; 1066МГц; 13,75нс; TWBGA96; 0÷95°C
- 43TR16128C15HBLITR IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,5нс; TWBGA96; -40÷95°C
- 42S81600F-7TL-TR IC: память DRAM; 4Mx8битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; 0÷70°C
- 43TR85120BL125KBLI IC: память DRAM; 512Мx8бит; 1066МГц; 13,75нс; TWBGA78; -40÷95°C
- 46DR16128C-3DBLA2 IC: память DRAM; 16Mx8битx8; 333МГц; 15нс; TWBGA84; -40÷105°C
- 45S32400F-7TLA1 IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II; -40÷85°C
- 43TR16128D-125KBLI IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1066МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- 45S32400F-6BLA2-TR IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; -40÷105°C
- 45S16320F-6TLA1 IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 167МГц; 6нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- 43R16320F-6BL IC: память DRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TWBGA60; 0÷70°C; 2,5ВDC
- 42VM16160K-75BLI IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54; -40÷85°C
- 43LD16640C-25BLI IC: память DRAM; 8Mx16битx8; 400МГц; 18нс; TFBGA134; -40÷85°C
- 46LR32160C-6BLA2 IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90; -40÷105°C
- 43TR16128D-125KBL IC: память DRAM; 128Мx16бит; 1066МГц; 13,75нс; TWBGA96; 0÷95°C
- 42S16800F-6BL IC: память DRAM; 2Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC