Ещё из раздела
- WV2568EBLL45TLI IC: память SRAM; 256Кx8бит; 2,2÷3,6В; 45нс; TSOP32; параллельный
- 39VF1681-70CEKE IC: память FLASH; 2Mx8бит; 70нс; TSOP48; параллельный
- 25LP256E-RHLE IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; TFBGA24
- 43TR16128C125KBLTR IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; 0÷95°C
- CAV24C16WE-GT3 IC: память EEPROM; I2C; 2048x8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц; SOIC8
- MX35LF2G14AC-Z4I IC: память FLASH; 2Гб; 104МГц; 2,7÷3,6В; WSON8; последовательный
- N93C66BT3ETAG IC: память EEPROM; Microwire; 512x8/256x16бит; 1,7÷5,5В; 4МГц
- MX30LF4G28AC-TI/TR IC: память FLASH; 20нс; TSOP48; параллельный
- CAT24C04C4ATR IC: память EEPROM; I2C; 512x8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; WLCSP4
- 42S16100H-7TL IC: память DRAM; 512Кx16битx2; 143МГц; 7нс; TSOP50 II; 0÷70°C
- 42S16400J-6BLI IC: память DRAM; 1Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA54; -40÷85°C
- M24C16-FMH6TG IC: память EEPROM; I2C; 2Кx8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; UFDFPN5
- 42S32160F-7TLI-TR IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 143MHz; 7ns; TSOP86 II; -40÷85°C
- 25LP040E-JNLA3-TR IC: память FLASH; 4Мб; QPI,SPI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8; бобина,лента
- 43DR81280C-25DBLI IC: память DRAM; 16Mx8битx8; 400МГц; 12,5нс; TWBGA60; -40÷85°C
- 43LQ32256A-062BLI IC: DRAM memory; 256Mx16bitx2; 1.6GHz; TFBGA200; -40÷95°C
- CAT25040YI-GT3 IC: память EEPROM; SPI; 512x8бит; 1,8÷5,5В; 20МГц; TSSOP8
- 25WX064-JHLE-TR IC: память FLASH; 64Мб; xSPI; 200МГц; 1,7÷2В; TFBGA24; бобина,лента
- 25LP512M-RHLA3 IC: память FLASH; 512Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; TFBGA24
- 25WP016D-JBLA3-TR IC: память FLASH; 16Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; SO8
- 45S16160J-7TLA1-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 143МГц; 7нс; TSOP54 II; -40÷85°C
- CAV93C66VE-GT3 IC: память EEPROM; Microwire; 512x8/256x16бит; 2,5÷5,5В; 2МГц
- N84C163WD42TG IC: память EEPROM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷6В; 400кГц; SOIC8
- 25LP064D-JLLE IC: память FLASH; 64Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; WSON8
Памяти - микросхемы
11 623 позицииПо умолчанию