Памяти SRAM параллельные

Товаров: 1322

Сортировать:

Цене

Плитка

Список

IS61WV25632BLL-10BLI

IC: SRAM memory; 256kx32bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA90; parallel

IC: память SRAM; 32Кx8бит; 5В; 12нс; SOJ28; параллельный; -40÷85°C

IC: память SRAM; 16Кx8бит; 3,3В; 15нс; TSOP44 II

IC: память SRAM; 1024x16бит; 3,3В; 10нс; TSOP48

IC: память SRAM; 256Кx8бит; 5В; 15нс; SOJ36; параллельный; 400mils

Память; SRAM, синхронная; 128Кx8бит; 2,7?5,5В; 55нс; STSOP32 распродажа

IC: память SRAM; 32Кx8бит; 3,3В; 20нс; TSOP28; параллельный

IC: память SRAM; 128Кx16бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II; параллельный

от 1 071 ₽

+21693 балла

Подробнее

IS61NLP51236B-200TQLI

IC: SRAM memory; 512kx36bit; 3.3V; 3ns; QFP100; parallel; -40÷85°C

IC: память SRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28; параллельный

IC: память SRAM; 128Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; STSOP32; параллельный

от 504 ₽

+17676 баллов

Подробнее

IS61WV102416DBLL-10BLI

IC: память SRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный

IC: память SRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; DIP32; параллельный

IC: память SRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ32; параллельный

IC: память SRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 15нс; SOJ36; параллельный

IC: память SRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; SOJ28; параллельный

IC: память SRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP28; параллельный

Память SRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ36; параллельный

IC: память SRAM; 128Кx8бит; 3÷3,6В; 12нс; SOJ32; параллельный

IC: память SRAM; 32Кx8бит; 5В; 12нс; TSOP28; параллельный; -40÷85°C

от 366 ₽

+1374 балла

Подробнее

Предыдущая 1 2...65 6667

20 50 100 200

Памяти SRAM параллельные

Наша компания сотрудничает с самыми известными производителями микросхем памяти. Их продукция отличается качеством и надёжностью, ведь изготавливается из прочных материалов и комплектующих. Вниманию потребителя предлагаются параллельные микросхемы памяти SRAM с широким выбором параметров и встроенных характеристик.

Выбрать идеально подходящее устройство не ставит труда. В первую очередь необходимо определиться с предстоящим способом использования устройства, а так же владеть информацией об основных показателях и значениях подходящие для обслуживания той или иной системы.

Определившись с производителем изделия (в основном устройства отличаются между собой по цене), особое внимание при выборе микросхемы стоит уделить подбору:

виду памяти;
способу монтажа;
нужной ёмкости памяти;
значению рабочего напряжения;
свойствам корпуса и типу самого устройства;
структуре памяти;
максимальным срокам доступа.

В основном, память SRAM подразделяется на синхронную и асинхронную. В первом варианте все рабочие процессы осуществляются исключительно по тактовому сигналу, что влияет на время обработки, которая ограничена данной частотой. В связи с чем, синхронный тип памяти нецелесообразно использовать в системах функционирующих на значительных скоростях.

Для записи и чтения в асинхронной памяти используется фронт сигнала данных, в связи с чем, посредством поступающих данных организовывается контроль. Данный тип микросхемы памяти отличается организацией быстрого доступа к информации.

Несмотря на то, что предлагаемые микросхемы двух типов, являются результатом процесса производства ведущих мировых компаний, цены на продукцию доступны. Компании-изготовители обеспечивают качество и предоставляют всю необходимую документацию. Все поставки максимально надёжны, изготовитель проверяет на соответствие установленным нормам и качество выполняемых функций микросхемы с каждой партии.

Ассортимент товаров регулярно пополняется новинками, в связи с чем посредством параллельных микросхем памяти SRAM удовлетворить стремительно растущие потребности рынка не составит труда.

Способ доставки