Ещё из раздела
- MX29GL640ETXEI-70G IC: память FLASH; 70нс; LFBGA48; параллельный
- OKDO-VA001-16G IC: память FLASH; 16ГБ; OKDO-RA004
- WV51216EDBLL10BLIT IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный
- 42S32800J-6BL-TR IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; 0÷70°C; 3÷3,6ВDC
- MX30UF4G16ACXKITY IC: память FLASH; 25нс; VFBGA63; параллельный
- M24M01-DFMN6TP IC: память EEPROM; I2C; 128Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; SO8
- MX25L3235EZNI10GTR IC: память FLASH; 32Мб; SPI; 4Mx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- 34ML02G081-TLI IC: память FLASH; parallel 8bit; TSOP48; параллельный; лоток,туба
- 25WX256-JHLE IC: память FLASH; 256Мб; xSPI; 200МГц; 1,7÷2В; TFBGA24; лоток,туба
- WV12816EALL55BLI IC: память SRAM; 128Кx16бит; 1,65÷2,2В; 55нс; TFBGA48; -40÷85°C
- LF6436A8.5TQLI IC: SRAM memory; 64kx36bit; 3.3V; 8.5ns; QFP100; parallel; -40÷85°C
- NLP102436B200TQLI IC: SRAM memory; 1Mx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
- M24C01-RMN6P IC: память EEPROM; I2C; 128x8бит; 1,8÷5,5В; 400кГц; SO8
- MX25U6472FM2I02TB IC: память FLASH; 64Мб; QPI,SPI; 8Mx8бит; 133МГц; 1,65÷2В; SOP8
- MX25U3232FZBI02/TR IC: память FLASH; 32Мб; QPI,SPI; 4Mx8бит; 133МГц; 1,65÷2В; USON8
- 42S32400F-7TL-TR IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II; 0÷70°C
- MX25V8035FZUI/TR IC: память FLASH; 8Мб; SPI; 1Mx8бит; 108МГц; 2,3÷3,6В; USON8
- MX30LF1G18AC-XKI IC: память FLASH; 20нс; VFBGA63; параллельный
- X25L25645GXDI10GTR IC: память FLASH; 256Мб; DTR,QPI,SPI; 32Mx8бит; 120МГц; 2,7÷3,6В
- X25U12835FM2I10GTR IC: память FLASH; 128Мб; QPI,SPI; 16Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; SOP8
- 42SM32400H-75BLITR IC: память DRAM; 1Mx32битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA90; -40÷85°C
- M24128-BFMC6TG IC: память EEPROM; I2C; 16Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; UFDFPN8
- 25LP040E-JNLE-TR IC: память FLASH; 4Мб; QPI,SPI; 104МГц; 2,3÷3,6В; SO8; бобина,лента
- 25WP128-RMLE-TR IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 1,65÷1,95В; SO16
Памяти - микросхемы
11 623 позиции