Ещё из раздела
- 43TR16128C125KBLIT IC: память DRAM; 128Мx16бит; 933МГц; 13,75нс; TWBGA96; -40÷95°C
- MX25L6406EZ3I-12G IC: память FLASH; 64Мб; SPI; 86МГц; 2,7÷3,6В; WSON8
- MX29GL512GDXFI-11G IC: память FLASH; 110нс; LFBGA64; параллельный
- VVF409618B7.5TQL IC: SRAM memory; 4Mx18bit; 1.8V; 7.5ns; TQFP100; parallel; 0÷70°C
- 93C76C-E/MS IC: память EEPROM; Microwire; 4,5÷5,5В; MSOP8; последовательный
- MX29GL128FUXFI-11G IC: память FLASH; 110нс; LFBGA64; параллельный
- NV25M01DTUTG IC: память EEPROM; SPI; 128Кx8бит; 1,8÷5,5В; 10МГц; TSSOP8
- NV25320DTHFT3G IC: память EEPROM; SPI; 4Кx8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; TSSOP8
- MX25U8033EBAI12GTR IC: память FLASH; 8Мб; SPI; 1Mx8бит; 80МГц; 1,65÷2В; WLCSP8
- M24C16-FMC6TG IC: память EEPROM; I2C; 2Кx8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц; UFDFPN8
- NV24M01MUW3VTBG IC: память EEPROM; I2C; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 1МГц; uDFN8
- MX25U8035EZNI-10G IC: память FLASH; 8Мб; QPI,SPI; 1Mx8бит; 104МГц; 1,65÷2В; WSON8
- MX25V4035FM1I/TR IC: память FLASH; 4Мб; SPI; 512Кx8бит; 108МГц; 2,3÷3,6В; SOP8
- CAT93C86BHU4I-GT3 IC: память EEPROM; Microwire; 2Кx8/1Кx16бит; 1,8÷5,5В; 4МГц; uDFN8
- MX25R3235FBDIH0/TR IC: память FLASH; 32Мб; SPI; 4Mx8бит; 80МГц; 1,65÷3,6В; WLCSP12
- 43TR82560DL125KBLI IC: память DRAM; 256Мx8бит; 1066МГц; 13,75нс; TWBGA78; -40÷95°C
- 25LC160C-I/ST IC: память EEPROM; SPI; 2048x8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; TSSOP8
- 25LC020A-I/SN IC: память EEPROM; SPI; 256x8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; SO8
- 43LR32800G-6BL IC: память DRAM; 2Mx32битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA90; 0÷70°C
- 25LP128F-JLLE-TR IC: память FLASH; 128Мб; DTR,QPI,SPI; 166МГц; 2,3÷3,6В; WSON8
- 25LP01G-RILE IC: память FLASH; 1Гб; DTR,QPI,SPI; 133МГц; 2,3÷3,6В; LFBGA24
- LP6436A133TQLI IC: SRAM memory; 64kx36bit; 3.3V; 4ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
- 43R16160F-5BL-TR IC: память DRAM; 4Mx16битx4; 200МГц; 5нс; TFBGA60; 0÷70°C; 2,5ВDC
- MX66L51235FMI10GTR IC: память FLASH; 512Мб; QPI,SPI; 64Мx8бит; 104МГц; 2,7÷3,6В; SOP16
Памяти - микросхемы
11 623 позиции