SQJ120ELP-T1_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2989 шт
Количество Цена
1 1 645 ₽
10 351 ₽
100 162 ₽
500 120 ₽
3000 95 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+14 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SQJ120ELP-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SQJ120ELP-T1_GE3 от 95 рублей в наличии 2989 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQJ120ELP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 206А; 130Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    130Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    74нC
  • Ток стока
    206А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    1,74мОм
  • Gate-source voltage
    ±20В
  • Вес
    0.12g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация