Каталог товаров

SQ1922AEEH-T1_GE3

SQ1922AEEH-T1_GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 127420 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 138
100 55
1000 41.5
6000 32
24000 26
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 127 420 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SQ1922AEEH-T1-GE3

Производитель

Купить SQ1922AEEH-T1_GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SQ1922AEEH-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 0,53А; Idm: 3,3А

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0,3Ом
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 3,3А
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 1,5Вт
Выбрано: Показать
Заряд затвора 0,9нC
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Ток стока 0,53А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 20В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET x2
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±12В
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Корпус SC70-6
Выбрано: Показать
Корпус SOT363
Выбрано: Показать
Вес 0.018g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти