SQ1922AEEH-T1_GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 114549 шт
Количество Цена
1 145 ₽
50 66 ₽
500 44 ₽
9000 29.6 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+4 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SQ1922AEEH-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SQ1922AEEH-T1_GE3 от 29.6 рублей в наличии 114549 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SQ1922AEEH-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 20В; 0,53А; Idm: 3,3А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SC70-6
  • Корпус
    SOT363
  • Рассеиваемая мощность
    1,5Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    0,9нC
  • Ток стока
    0,53А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,3Ом
  • Ток стока в импульсном режиме
    3,3А
  • Gate-source voltage
    ±12В
  • Вес
    0.018g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация