SIZ342DDT-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+0 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 3000
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SIZ342DDT-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Вы можете запросить у нас любое количество SIZ342DDT-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SIZ342DDT-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 26,9А; Idm: 100А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAIR® 3x3
  • Рассеиваемая мощность
    16,7Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Конструкция диода
    асимметричная
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    3,7нC
  • Ток стока
    26,9А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Ток стока в импульсном режиме
    100А
  • Gate-source voltage
    -16...20В
  • Вес
    0.078g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация