SIZ342BDT-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 3855 шт
Количество Цена
1 1 530 ₽
10 276 ₽
100 109 ₽
500 77 ₽
3000 59 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+8 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIZ342BDT-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SIZ342BDT-T1-GE3 от 59 рублей в наличии 3855 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIZ342BDT-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 30В; 26,3А; Idm: 100А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAIR® 3x3
  • Рассеиваемая мощность
    16,7Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Конструкция диода
    асимметричная
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    8,4нC
  • Ток стока
    26,3А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    9,65мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    100А
  • Gate-source voltage
    -16...20В
  • Вес
    0.043g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация