Каталог товаров

SISS80DN-T1-GE3

SISS80DN-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 1635 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 491
10 265
30 239
75 220
100 214
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 1 635 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SISS80DN-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SISS80DN-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SISS80DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® 1212-8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 42Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 122нC
Выбрано: Показать
Ток стока 169А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 20В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 3мОм
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 300А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage -8...12В
Выбрано: Показать
Вес 1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти