SISH116DN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 20922 шт
Количество Цена
1 483 ₽
10 238 ₽
100 214 ₽
500 170 ₽
3000 148 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+22 балла
SISH116DN-T1-GE3 от 148 рублей в наличии 20922 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SISH116DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Рассеиваемая мощность
    2Вт
  • Полярность
    полевой
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Ток стока в импульсном режиме
    60А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Сопротивление в открытом состоянии
    10мОм
  • Вид канала
    обогащенный
  • Ток стока
    13,1А
  • Напряжение сток-исток
    40В
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    23нC
  • Монтаж
    SMD
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация