Каталог товаров

SISA18BDN-T1-GE3

  • всего в наличии: 6000 шт
Количество Цена ₽ /шт
3000 69
Добавить 3000 шт. на ₽
В корзину
От 3000 шт.
Доступно 6 000 шт.

Условия

  • Минимально 3000 и кратно 3000
  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SISA18BDNT1GE3-0

Производитель

Техническое описание

Купить SISA18BDN-T1-GE3 от 3000 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SISA18BDNT1GE3-0 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; N; 30V; 60A; 36.8W

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Gate-source voltage -16...20В
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 6,83мОм
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 36,8Вт
Выбрано: Показать
Ток стока 60А
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 30В
Выбрано: Показать
Полярность N
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 6,2нC
Выбрано: Показать
Вес 0.093g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти