Каталог товаров

SIS890DN-T1-GE3

  • всего в наличии: 23804 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 374
10 182
100 161
500 128
3000 106
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 23 804 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIS890DN-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SIS890DN-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIS890DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 30А; Idm: 60А; 33Вт

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® 1212-8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 33Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 29нC
Выбрано: Показать
Ток стока 30А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 100В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 23,5мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 60А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 0.025g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти