Каталог товаров

SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 2063 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 181
10 103
50 81
100 73
500 69
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 2 063 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIS412DN-T1-GE3

Производитель

Видео

Купить SIS412DN-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIS412DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

Напряжение сток-исток 30В
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 30А
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Заряд затвора 12нC
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 10Вт
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Ток стока 12А
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® 1212-8
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 24мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Вес 0.025g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти