SIRA20BDP-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 7824 шт
Количество Цена
1 1 816 ₽
10 466 ₽
50 282 ₽
100 244 ₽
500 188 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+28 баллов
SIRA20BDP-T1-GE3 от 188 рублей в наличии 7824 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIRA20BDP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    186нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    25В
  • Ток стока
    268А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    820мкОм
  • Gate-source voltage
    -12...16В
  • Ток стока в импульсном режиме
    350А
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    67Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    2g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация