SIRA00DP-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+31 балл
Вы можете запросить у нас любое количество SIRA00DP-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SIRA00DP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    0,22мкC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Ток стока
    100А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    1,35мОм
  • Gate-source voltage
    -16...20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    400А
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    66,6Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация