Каталог товаров

SIR872ADP-T1-GE3

SIR872ADP-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 1234 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 503
10 282
100 241
500 200
1000 187
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 1 234 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIR872ADP-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SIR872ADP-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIR872ADP-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 53,7А; Idm: 100А; 66,6Вт

Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 150В
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Ток стока 53,7А
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Заряд затвора 47нC
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 66,6Вт
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 100А
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® SO8
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 18мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 0.025g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти