Каталог товаров

SIR582DP-T1-BE3

SIR582DP-T1-BE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 6000 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 748
10 442
100 229
500 176
3000 143
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 6 000 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIR582DP-T1-BE3

Производитель

Купить SIR582DP-T1-BE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIR582DP-T1-BE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 93А; Idm: 300А

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 300А
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 92,5Вт
Выбрано: Показать
Заряд затвора 33,5нC
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Ток стока 93А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 80В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20В
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® SO8
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 3,4мОм
Выбрано: Показать
Вес 0.14g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти