Каталог товаров

SIR576DP-T1-BE3

SIR576DP-T1-BE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 11968 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 641
10 377
100 183
500 138
3000 110
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 11 968 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIR576DP-T1-BE3

Производитель

Купить SIR576DP-T1-BE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIR576DP-T1-BE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 33,8А; Idm: 120А

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 120А
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 71,4Вт
Выбрано: Показать
Заряд затвора 19нC
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Ток стока 33,8А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 150В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20В
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® SO8
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 16мОм
Выбрано: Показать
Вес 0.15g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти