SIHK125N60EF-T1GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.

всего в наличии 1995 шт

Количество	Цена
1	1 215 ₽
10	814 ₽
50	643 ₽
100	588 ₽
500	545 ₽

В корзину

Бесплатная доставка

и получите

+81 балл

Условия

Минимально 1 и кратно 1

Срок поставки 4-6 недель
Цена включает НДС
Артикул
SIHK125N60EF-T1GE3
Производитель
VISHAY

SIHK125N60EF-T1GE3 от 545 рублей в наличии 1995 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно Visa, Mastecard и МИР

банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIHK125N60EF-T1GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

Похожие товары

2N7002

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,8А; 0,2Вт; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,21А; 0,3Вт; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; SOT23-3

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,225Вт; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,245А; Idm: 1,2А; 1,2Вт

Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 0,37Вт; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT23

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,31А; 0,3Вт; SOT323

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; 0,225Вт; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,28А; Idm: 1,2А; 420мВт

от 5.7 ₽

+7695 баллов

Подробнее

+7 (499) 677-21-46

В корзине

нет товаров

+7 (499) 677-21-46

TM Электроникс

Электронные компоненты
и радиодетали

Корзина

нет товаров

Каталог

SIHK125N60EF-T1GE3

SIHK125N60EF-T1GE3 описание и характеристики

Похожие товары

Данные сохранены!

Уточните адрес доставки

Куда доставить заказ?

Москва

Изменить

Добавьте точный адрес, удобный пункт выдачи или постамат, чтобы заранее увидеть условия доставки товаров

Выбрать на карте

Куда доставить заказ?

Выберите адрес, чтобы увидеть условия доставки

Москва

Выбрать на карте

Выберите город