SIHB6N65E-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+43 балла
Вы можете запросить у нас любое количество SIHB6N65E-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SIHB6N65E-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Монтаж
    SMD
  • Напряжение сток-исток
    650В
  • Заряд затвора
    48нC
  • Ток стока
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,6Ом
  • Gate-source voltage
    ±30V
  • Ток стока в импульсном режиме
    18А
  • Корпус
    D2PAK
  • Корпус
    TO263
  • Рассеиваемая мощность
    78Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Вес
    2g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация