SIHB5N80AE-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 580 шт
Количество Цена
1 427 ₽
10 273 ₽
50 207 ₽
100 185 ₽
500 148 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+22 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIHB5N80AE-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SIHB5N80AE-GE3 от 148 рублей в наличии 580 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIHB5N80AE-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,8А; Idm: 7А; 62,5Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK
  • Корпус
    TO263
  • Рассеиваемая мощность
    62,5Вт
  • Полярность
    полевой
  • Ток стока
    2,8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    800В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    1,17Ом
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Gate-source voltage
    ±30В
  • Вес
    1.8g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация